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IRLMS6702
400
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
10
I D = -1.6A
V DS = -16V
C rss = C gd
C oss =C ds +C gd
8
300
C iss
6
C oss
200
4
C rss
100
2
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
A
0
0
2
4
SEE FIGURE 9
6 8
10
A
100
10
1
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
T J = 150°C
T J = 25°C
100
10
1
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100μs
1ms
10ms
V GS = 0V
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2 1.4
A
0.1
1
T A = 25°C
T J = 150°C
Single Pulse
10
A
100
4
-V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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